โตชิบาเปิดตัวชิป หน่วยความจำแฟลชสามมิติซ้อนกันในชิป 48 ชั้น
-
- ผลการให้คะแนน
- 10
โตชิบาเปิดตัวชิป หน่วยความจำแฟลชสามมิติซ้อนกันในชิป 48 ชั้น
อินเทลเพิ่งเปิดตัวชิป 3D NAND แบบ 32 ชั้น ไปวันก่อน ตอนนี้โตชิบาก็เปิดตัวข่มด้วยชิปซ้อนกัน 48 ชั้น โครงสร้างภายในเป็น BiCS เก็บข้อมูลได้สองบิตต่อเซลล์ ชิปแต่ละตัวมีความจุรวม 128 กิกะบิต
แม้ว่าจะซ้อนชั้นได้เยอะกว่า แต่ชิปของโตชิบาก็มีความจุต่อชิปน้อยกว่าอินเทลและไม ครอนเท่าตัว ทางโตชิบาระบุว่าตอนนี้เริ่มส่งตัวอย่างให้คู่ค้าแล้ ว ขณะที่ชิปของอินเทลเข้าสู่กระบวนการผลิตล็อตแรก และจะผลิตด้วยกำลังผลิตเต็มที่ในปลายปีนี้
การผลิตเต็มรูปแบบจะต้องรอโรงงาน Fab2 ในญี่ปุ่นสร้างเสร็จเสียก่อน กำหนดการตอนนี้น่าจะเริ่มผลิตได้ประมาณครึ่งแรกของปี 2016
ที่มา - Toshiba

Toshiba, Semiconductor, SSD, Storage
อ่านต่อ...
-
-
กฎการส่งข้อความ
- You may not post new threads
- You may not post replies
- You may not post attachments
- You may not edit your posts
-
Forum Rules
Bookmarks