Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จในการผลิตชิปหน่วยความจำ low power double data rate 4 (LPDDR4) ขนาด 8 Gigabit (Gb นะครับไม่ใช่ GB) และเตรียมทำตลาดแรมชนิดนี้สำหรับอุปกรณ์พกพาในปีหน้า (ยังไม่ระบุกรอบเวลาชัดเจน)
ชิปแรมตัวใหม่นี้ใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร เมื่อชิปหนึ่งตัวมีขนาด 8 Gb (หรือ 1GB) ทำให้แรมหนึ่งแผงสามารถยัดชิป 4 ตัวเพื่อทำแรมขนาด 4GB ในแผ่นเดียวได้ (นั่นแปลว่าเราจะได้เห็นมือถือแรม 4GB ในเร็วๆ นี้)
ชิปแรมตัวนี้สามารถส่งข้อมูลได้ 3200 Mbps ต่อพินหนึ่งขา เร็วกว่าแรม LPDDR3 ในปัจจุบันเท่าตัว แต่ใช้พลังงานน้อยกว่ากันประมาณ 40%
ที่มา - Samsung Tomorrow
Samsung, HArdware, Memory




อ่านต่อ...